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芯片測(cè)試 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢？下面為大家整理一下： 一、decap：寫清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面較大有突起，會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù)）后續(xù)試驗(yàn)。 1.IC開封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 2.樣品減�。ㄌ沾�，金屬除外） 3.激光打標(biāo) 4.芯片開封（正面/背面） 5.IC蝕刻，塑封體去除 二、X-RAY：寫清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點(diǎn)觀察區(qū)域，精度。 1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、IV：寫清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring |
