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失效分析樣品準(zhǔn)備： .i^aYbB$X  
失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 <{ Z$!]i1  
常見(jiàn)的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭�效分析設(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開(kāi)放的資源，來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢？下面為大家整理一下： qXI>x6?*  
一、decap：寫清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開(kāi)封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面較大有突起，會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù)）后續(xù)試驗(yàn)。 Vn4y^_H  
1.IC開(kāi)封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 W{z7h[?5,  
2.樣品減�。ㄌ沾�，金屬除外） )U>JFgpI
W  
3.激光打標(biāo) hj~nLgpN  
4.芯片開(kāi)封（正面/背面） a!n |/9 6  
5.IC蝕刻，塑封體去除 JIw=Bs  
二、X-RAY：寫清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點(diǎn)觀察區(qū)域，精度。 6Dx^$=Sa$  
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 ups]k?4  
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 q6xm#Fd'.  
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 *
3,Kn}ik  
缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 6jdNQC$#B  
三、IV：寫清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。 znNJ?  
1.Open/Short Test s<}d)
L(  
2.I/V Curve Analysis t%xD epFQ  
3.Idd Measuring 6k|^Cs6~z  
4.Powered Leakage（漏電）Test Y
|NL #F  
四、EMMI：寫清樣品加電方式，電壓電流，是否是裸die，是否已經(jīng)開(kāi)封，特殊要求等，EMMI是加電測(cè)試，可以連接各種源表，確認(rèn)加電要求，若實(shí)驗(yàn)室沒(méi)有適合的源表，可以自帶，避免做無(wú)用功。 @' V=Vr  
1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 $)V_oQSqn  
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 G)vq+L5%  
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 6*!
R'  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 Q db~I#}m'  
Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題 dZSv=UY)  
五、FIB：寫清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的，標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案，發(fā)定位文件。 Rn"Raq7Cn*  
8IX:XDEQ  
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 x