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MLCC失效分析方法

發(fā)布:探針臺(tái) 2020-03-19 13:56 閱讀:2079
MLCC失效分析方法 A6UdWK  
MLCC失效原因 JdUz!=I  
在產(chǎn)品正常使用情況下,失效的根本原因是MLCC 外部或內(nèi)部存在如開裂、孔洞、分層等各種微觀缺陷。這些缺陷直接影響到MLCC產(chǎn)品的電性能、可靠性,給產(chǎn)品質(zhì)量帶來嚴(yán)重的隱患。 D PS1GO*  
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外部因素:裂紋 W^d4/]  
1.溫度沖擊裂紋(Thermal Crack) .W@4vrp@  
主要由于器件在焊接特別是波峰焊時(shí)承受溫度沖擊所致,不當(dāng)返修也是導(dǎo)致溫度沖擊裂紋的重要原因。 8LQ59K_WX  
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2. 機(jī)械應(yīng)力裂紋(Flex Crack) <% 7P  
MLCC的特點(diǎn)是能夠承受較大的壓應(yīng)力,但抵抗彎曲能力比較差。器件組裝過程中任何可能產(chǎn)生彎曲變形的操作都可能導(dǎo)致器件開裂。常見應(yīng)力源有:貼片對中,工藝過程中電路板操作;流轉(zhuǎn)過程中的人、設(shè)備、重力等因素;通孔元器件插入;電路測試、單板分割;電路板安裝;電路板定位鉚接;螺絲安裝等。該類裂紋一般起源于器件上下金屬化端,沿45℃角向器件內(nèi)部擴(kuò)展。該類缺陷也是實(shí)際發(fā)生最多的一種類型缺陷。 =SK+ \j$  
內(nèi)部因素:空洞、裂紋、分層 [[?[? V ,  
1.陶瓷介質(zhì)內(nèi)空洞 (Voids) T7lj39pJq  
導(dǎo)致空洞產(chǎn)生的主要因素為陶瓷粉料內(nèi)的有機(jī)或無機(jī)污染,燒結(jié)過程控制不當(dāng)?shù)?斩吹漠a(chǎn)生極易導(dǎo)致漏電,而漏電又導(dǎo)致器件內(nèi)部局部發(fā)熱,進(jìn)一步降低陶瓷介質(zhì)的絕緣性能從而導(dǎo)致漏電增加。該過程循環(huán)發(fā)生,不斷惡化,嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致多層陶瓷電容器開裂、爆炸,甚至燃燒等嚴(yán)重后果。 `mKlv~$1^  
2.燒結(jié)裂紋 (Firing Crack) +)JNFy-  
燒結(jié)裂紋常起源于一端電極,沿垂直方向擴(kuò)展。主要原因與燒結(jié)過程中的冷卻速度有關(guān),裂紋和危害與空洞相仿。 7Z`Mt9:Ht  
3.分層 (Delamination) k99gjL`  
多層陶瓷電容器(MLCC)的燒結(jié)為多層材料堆疊共燒。燒結(jié)溫度可以高達(dá)1000℃以上。層間結(jié)合力不強(qiáng),燒結(jié)過程中內(nèi)部污染物揮發(fā),燒結(jié)工藝控制不當(dāng)都可能導(dǎo)致分層的發(fā)生。分層和空洞、裂紋的危害相仿,為重要的多層陶瓷電容器內(nèi)在缺陷。 >1a \ %G  
芯片開封實(shí)驗(yàn)室介紹,能夠依據(jù)國際、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作,開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù),同時(shí)可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測服務(wù),主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。 >^H'ZYzw  
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失效分析實(shí)驗(yàn)室 +\k9w.[:/  
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