芯片立體化發(fā)展摩爾定律遇到發(fā)展瓶頸，但市場對芯片性能的要求卻沒有降低。在這種情況下，芯片也開始進行多方位探索，以尋求更好的方式來提升性能。通過近些年來相關半導體企業(yè)發(fā)布的成果顯示，我們發(fā)現(xiàn)，芯片正在從二維走向三維世界——芯片設計、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。 [$a<b/4  
晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變 6:?rlh  
當先進工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)(Bulk SI)和絕緣層覆硅(SOI)技術(shù)等）的發(fā)展遇到了瓶頸，為了延續(xù)摩爾定律，擁有三維結(jié)構(gòu)的FinFET技術(shù)出現(xiàn)了。 ? _<[T  
在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。 `qiQ$kz  
2011年5月英特爾宣布使用FinFET技術(shù)，而后臺積電、三星也都陸續(xù)采用FinFET。晶體管開始步入了3D時代。在接下來的發(fā)展過程中，F(xiàn)inFET也成為了14 nm，10 nm和7 nm工藝節(jié)點的主要柵極設計。 nrpI5t.b  
FinFET是胡正明教授基于DELTA技術(shù)而發(fā)明的，由于FinFET技術(shù)為半導體的創(chuàng)新帶來了新契機，國際電子電氣工程學會(IEEE)授予了胡正明2020年IEEE榮譽獎章，IEEE稱其獲獎是“開發(fā)半導體模型并將其投入生產(chǎn)實踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年。” = .oHnMX2M  
2015年曾有報道稱，F(xiàn)inFET未來預期可以進一步縮小至9nm。發(fā)展至今，我們也看到，F(xiàn)inFET技術(shù)仍然還被用于7nm中，但從市場發(fā)展中看，F(xiàn)inFET技術(shù)還沒有走到盡頭，根據(jù)臺積電2019中國技術(shù)論壇上的透露的消息顯示，臺積電在今年第二季度量產(chǎn)的5nm中，將使用High Mobility Channel FinFET的節(jié)點。 7>i2OBkAhB  
3D封裝引發(fā)新的競爭 &Un6ay  
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除了晶體管結(jié)構(gòu)走向了3D以外，封裝技術(shù)也在向3D方向發(fā)展。有報道指出，用先進封裝技術(shù)提供的高密度互聯(lián)將多顆Chiplet包在同一個封裝體內(nèi)，將是未來的發(fā)展趨勢。而在這其中，3D封裝將產(chǎn)生巨大的影響。 lj2=._@R  
日前，AMD在其2020年財務分析師日發(fā)布了其新型的封裝技術(shù)——X3D封裝，據(jù)悉，該技術(shù)是將3D封裝和2.5D封裝相結(jié)合。AMD稱其X3D芯片封裝技術(shù)將把其MCM帶入三維，并將帶寬密度提高10倍。 5H