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2019 年半導(dǎo)體狀況分析

發(fā)布：探針臺 2020-03-19 13:35 閱讀：2077
2019 年半導(dǎo)體狀況分析分析數(shù)據(jù)包括全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本投入，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)支出，全球晶圓產(chǎn)能規(guī)模和晶圓產(chǎn)能狀況。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資10億美元以上的成員分析，全球研發(fā)支出前十大半導(dǎo)體廠商的分析。 n(S-F g  
關(guān)鍵詞：集成電路；半導(dǎo)體器件；產(chǎn)業(yè)狀況。 (kOv  
1  全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本投入 k T>}(G||  
據(jù) IC Insights 2018 年 11 月的報道，2018 年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出總額首次突破千億美元大關(guān)，達(dá)到 1 071 億美元，較 2017 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出 933 億美元增長 14.8%。其資本支出主要領(lǐng)域，一是全球存儲器市場持續(xù)火熱，有關(guān)廠商對 DRAM 和 3D NAND Flash 產(chǎn)品進行擴張投資；二是以功率器件為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品對于 8 英寸晶圓生產(chǎn)能力的投資熱浪；三是中國大陸對集成電路產(chǎn)業(yè)投資的高漲。IC Insights 指出，2018 年存儲器資本開支將占到整個半導(dǎo)體資本支出的 53%，主要是 DRAM 和 3D NAND 閃存，包括對現(xiàn)有晶圓生產(chǎn)線升級和全新生產(chǎn)線建設(shè)。隨著主要存儲器廠商都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升 3D NAND 閃存產(chǎn)能，IC Insights 認(rèn)為未來 3D NAND 閃存市場的風(fēng)險正在聚集。圖 1 列出了 2010～2019 年各年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本投入的規(guī)模和增長率。由此可見，受 2010 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅增長 30% 以上的刺激，2010 年和 2011 年全球半導(dǎo)體資本支出分別增長了 107% 和 25%。受 2012 年和 2015 年全球半導(dǎo)體市場低迷的影響，2012～2016 年資本投入出現(xiàn)了一定幅度的衰退。2017 年全球半導(dǎo)體市場繁榮，激勵了資本投入大幅度增長 37.6%。 y'/9KrV T  
2019 年隨著世界集成電路產(chǎn)品出現(xiàn)供過于求及消化庫存、避開硅周期低谷期的風(fēng)險，世界半導(dǎo)體投資熱相對會出現(xiàn)新一輪回落階段[1]。IC Insights 估計，2019 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出為 946 億美元，較 2018 年下降 11.7%。 'u/HQg*