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芯片失效分析方式總結(jié)，因?yàn)榧夹g(shù)，經(jīng)驗(yàn)，設(shè)備缺乏等原因，我們經(jīng)常會遇到需要委托第三方實(shí)驗(yàn)室測試的情況，那么第三方實(shí)驗(yàn)室測試都是怎么進(jìn)行的？有哪些分析項(xiàng)目呢？下面小編為大家總結(jié)，有沒說到的地方，歡迎留言補(bǔ)充，小編會及時(shí)加上去，希望能幫到大家。 WZ6{9/%:  
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一、聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam [Lje?M* r  
服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號取得電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 Z ;rM@x  
服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域 \K\eq>@6  
服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證               :n13v@q  
          2.Cross-Section截面分析                 kZ@UQ{>`  
          3.Probing Pad                                 tL;.vR
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          4.定點(diǎn)切割     )tJaw#Mih  
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二、掃描電鏡（SEM） kBA.N
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服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 #A4WFZ  
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服務(wù)范圍：軍工，航天，半導(dǎo)體，先進(jìn)材料等 L3oL>r'|  
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服務(wù)內(nèi)容：1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察   ,}W|cm>  
          2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 <& PU%^Ha  
          3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 '6NrL;  
          4.納米尺寸量測及標(biāo)示 P^F3,'N  
          5.微區(qū)成分定性及定量分析 =PA?6Bm  
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三、X-Ray 3S_H&>K  
服務(wù)介紹：X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化，產(chǎn)生的對比效果可形成影像，即可顯示出待測物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 M}X
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服務(wù)范圍：產(chǎn)品研發(fā)，樣品試制，失效分析，過程監(jiān)控和大批量產(chǎn)品觀測 LYYz=oZOE!  
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服務(wù)內(nèi)容：1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 QlB9m2XB