184) Short Channel Effect  短通道效應(yīng)

當(dāng)MOS組件愈小，信道的長(zhǎng)度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體

的通道長(zhǎng)度并不能無(wú)限制縮減，當(dāng)長(zhǎng)度縮短到一定的程度之后，各種因通道長(zhǎng)度變小所衍生的問題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。

185)  Selectivity選擇性

兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之:

例如，復(fù)晶電漿蝕：

        對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分)

        對(duì)氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分)

        則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S

               20OO Å/min

file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps183.png         S=                   ＝10

                2OO Å/min

HqF8:z?v  
187) Silicide金屬硅化物

         "Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為：

(1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact)

           (2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact)

(3) 低阻閘極(Gate Electrode)

           (4) 組件間通路(Interconnect)

          在VLSI(超大型積逞電路)時(shí)代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的穿入半導(dǎo)靠問題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。

          用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。

188) Silicon硅

        硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結(jié)晶狀態(tài)存在(重復(fù)性單位細(xì)胞組成)，每一單位細(xì)胞為田一個(gè)硅原子在中心，與其它4個(gè)等位硅原子所組成的四面體(稱為鉆石結(jié)構(gòu))如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近的原子其原形或其價(jià)鍵的結(jié)合。硅元素的電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料的間(故稱半導(dǎo)體材料)，人類可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質(zhì)滲入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的日常生活中。

189) Silicon Nitride氮化硅

        氮化硅是SixNy的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沈積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。

   前者所得的薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)稍差，但因其沉積時(shí)溫度甚低，可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。

190) Silicon Dioxide  二氧化硅

  即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是

a) 無(wú)定型結(jié)構(gòu)

b) 很容易與硅反應(yīng)得到

c) 不容于水

d) 好的絕緣性

e) SiO2/Si界面態(tài)電荷低

通過不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應(yīng)用：

l  緩沖層（buffer layer）

l  隔離層（isolation)

l  幕罩層（masking layer）

l  介電材料（dielectric）

l  保護(hù)層（passivation）

191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅

SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為"SOI" 的薄

層硅上制備�；�于SOI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開關(guān)速度，

降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電

子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。

192) Siloxane  硅氧烷

硅氧烷是用來與含有Si-O網(wǎng)絡(luò)相溶的有機(jī)溶劑，本身含有有機(jī)類的官能基，如CH3和C6H5，

是屬于有機(jī)性的SOG來源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。

193) S.O.G.  Spin on Glass旋涂式玻璃

旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化成穩(wěn)定的非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下:

旋轉(zhuǎn)平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃)

其結(jié)構(gòu)如圖表示:

214) SPC （Statistical Process Control）

統(tǒng)計(jì)，過程，控制英文的縮寫，是一種質(zhì)量管理方法。自制程中搜集資料，加以統(tǒng)計(jì)分析，并從分析中發(fā)覺異常原因，采取改正行動(dòng)，使制程恢復(fù)正常，保持穩(wěn)定，并持續(xù)不斷提升制程能力的方法。

ü 因制程具有變異，故數(shù)據(jù)會(huì)有變異，而有不同的值出現(xiàn)穩(wěn)定時(shí)，其具有某種分配型態(tài)

ü 制程為一無(wú)限母體，只能以抽樣方式，抽取少數(shù)的樣本，以推測(cè)制程母體的情況

ü 故運(yùn)用 “統(tǒng)計(jì)手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。

SPC的目的

Ø 維持正常的制程 (Under Statistical Control)

             事先做好應(yīng)該做的 (標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)) – ex：monitor，機(jī)臺(tái)操作程序

             制程異常發(fā)生能偵測(cè)出，并除去之，防止其再發(fā)

Ø 能力要足 (Capable Process)

             能力指標(biāo)

提升能力 – 持續(xù)改善 (廣義)  

215) SpecIFication(SPEC)

規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺(tái)操作，潔凈室，設(shè)備及保養(yǎng)，材料，工具及配件，品管，可靠性，測(cè)試‥‥等等。

IC制造流程復(fù)雜，唯有把所有事項(xiàng)巨細(xì)靡遺的規(guī)范清楚，并確實(shí)執(zhí)行，才可能做好質(zhì)量管理。所有相關(guān)人員尤其是現(xiàn)場(chǎng)操作人員底隨時(shí)確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，以達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化的目標(biāo)。

216) Spike  尖峰

硅在400°C左右對(duì)鋁有一定的固態(tài)溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當(dāng)制程有經(jīng)歷溫度約

400°C以上的步驟時(shí)，Si因擴(kuò)散效應(yīng)而進(jìn)入鋁，且鋁也會(huì)回填Si因擴(kuò)散所遺留下來的空隙，而在鋁與硅底材進(jìn)行接觸的部分。

217) Spike TC  針型熱電偶

218) Spin Dry  旋干

通過高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力把硅片表面水滴驅(qū)除

219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）

用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染

      H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2O

      H2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4

必須不斷補(bǔ)充H2O2

220) Sputtering  濺鍍，濺擊

利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對(duì)被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（Vapor GUp51*#XR  
Phase）內(nèi)具有被鍍物的原子或離子，到達(dá)芯片表面并進(jìn)行沉積。

221) Standard Clean:

標(biāo)準(zhǔn)清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM組成，SPM為H2SO4和H2O2以4：1混合，APM為NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM為HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。標(biāo)準(zhǔn)清洗可以除去有機(jī)物、Particle和金屬粒子，使芯片表面達(dá)到比較潔凈的狀態(tài)。

222) Step coverage階梯覆蓋能力

表征薄膜沉積時(shí)對(duì)晶片表面上不同幾何結(jié)構(gòu)的覆蓋能力，簡(jiǎn)單地說，即膜層均勻性。如下圖，當(dāng)對(duì)表面有階梯的晶片進(jìn)行膜層沉積時(shí)，因?yàn)槌练e角度不同等因素，導(dǎo)致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無(wú)法完全填入洞中，極有可能造成孔洞（void）.

223) Stress  應(yīng)力

對(duì)固體物體所施與的外力或其本身所承受的內(nèi)力，稱為“應(yīng)力（stress）”.

224) Substrate  底材

  一般而言半導(dǎo)體中提及的Substrate就是指Wafer

225) Target   靶

譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(Sputtering) 也就是以某種材料，制造成各種形狀，用此靶，當(dāng)做金屬薄膜濺鍍的來源。

226) TECN Temporary Engineering Change Notice臨時(shí)性制程變更通知

臨時(shí)工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時(shí)解決制程問題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)。

227) Teflon    鐵氟隆

聚四氟乙烯，一種耐酸耐腐蝕耐高溫的材料，我們使用的某些cassette、特殊管路等均是用此種材料制得。

228) Tensile Stress  拉伸應(yīng)力（參照192）

因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)的不同，薄膜與底材產(chǎn)生了應(yīng)力。當(dāng)沉積薄膜的熱膨脹系數(shù)高于底材，冷卻后是薄膜承受了一個(gè)拉伸應(yīng)力。

229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）

file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps200.png四乙基正硅酸鹽，含有硅與碳、氫與氧的有機(jī)硅源，化學(xué)分子式是Si(OC2H5)4，其沸點(diǎn)較高，常壓下約（169℃）。在CVD制程的應(yīng)用上， TEOS在足夠的溫度下TEOS進(jìn)行反應(yīng)而產(chǎn)生二氧化硅   {a_L /"7  
           Si（OC2H5）4        SiO2+4C2H4+2H2O

目前制程此法用來做Spacer

230) TCS

三氯硅烷SiHCl3

231) Thermal Expansion Coefficient 熱膨脹系數(shù)

反映物質(zhì)受熱膨脹程度的特性。因溫度變化而引起物質(zhì)量度元素的變化。膨脹系數(shù)是膨脹－溫度曲線的斜率，瞬時(shí)膨脹系數(shù)是特定溫度下的斜率，兩個(gè)指定的溫度之間的平均斜率是平均熱膨脹系數(shù)。膨脹系數(shù)可以用體積或者是長(zhǎng)度表示，通常是用長(zhǎng)度表示。

232) Thermocouple   熱電偶

測(cè)量溫度之用。有兩根不同材質(zhì)的探頭放入被測(cè)環(huán)境中，得到電壓值，再將電壓值轉(zhuǎn)變?yōu)闇囟戎怠?/div> }`M6+.z3F