51) Densify密化

CVD沈積后由于所沈積的薄膜(Thin Film)的密度很低，故以高溫步驟使薄膜中的分子重新結(jié)合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降溫機(jī)臺(tái))完成。

52) 空乏型Depletion MOS：

操作性質(zhì)與增強(qiáng)型MOS相反，它的通道不須要任何閘極的加壓（Vg）便已存在，而必須在適當(dāng)?shù)腣g下才消失。

53) Deposition Rate 沉積速率

表示薄膜成長(zhǎng)快慢的參數(shù)。一般單位Å/min

54)   Depth of Well 井深

  顧名思義即阱的深度。通過(guò)離子植入法植入雜質(zhì)如磷離子或硼離子，然后通過(guò)Drive in將離子往下推所達(dá)到的深度。

55)   Design Rule設(shè)計(jì)規(guī)范

由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一門(mén)專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法( RECIPE )的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來(lái)時(shí)，須有一套規(guī)范來(lái)做有關(guān)技術(shù)上的規(guī)定，此即"Design Rule"，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等考慮，訂正了如：

Ø 各制程層次、線路之間距離、線寬等的規(guī)格。

Ø 各制程層次厚度、深度等的規(guī)格。

Ø 各項(xiàng)電性參數(shù)等的規(guī)格。  

等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人遵循、參考

56) DHF

Dilute HF，一般用來(lái)去除native oxide，稀釋的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:50

57)   Die 晶粒

一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。

    同一芯片上的每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ�活中常�?jiàn)的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往住就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品。

58) Dielectric 介電材料

介于導(dǎo)電材料之間的絕緣材料。我們常用的介電材料有SiO2,Si3N4，我們需要的介電材料要求：1.良好的stepcoverage ，2.低介電常數(shù)， 3.高崩潰電壓，4.低應(yīng)力，5.平坦性好。

介電材料的性質(zhì)

Ø 良好的Step coverage、低介電常數(shù)、平坦性。

Ø 理想保護(hù)層的性質(zhì)

Ø 沉積均勻、抗裂能力、低針孔密度、能抵抗水氣及堿金屬離子的穿透，硬度佳。

Ø 主要介電材質(zhì):SiO2  PSG 與 BPSG  Si3N4  

59) Dielectric Constant 介電常數(shù).

介電常數(shù)是表征電容性能的一重要參數(shù)，越小越好,它與導(dǎo)電性能成反比。

   ￡=Cd/S ,C=￡S/d

60)   Diffusion 擴(kuò)散

在一杯很純的水上點(diǎn)一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來(lái)愈淡，這即是擴(kuò)散的一例。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成

61)   Diffusion Coefficient 擴(kuò)散系數(shù)

擴(kuò)散系數(shù)是描述雜質(zhì)在晶體中擴(kuò)散快慢的一個(gè)參數(shù)。這與擴(kuò)散條件下的溫度，壓強(qiáng)，濃度成正比。

       D=D0exp(-Ea/KT)

       D0是外插至無(wú)限大溫度所得的擴(kuò)散系數(shù)(cm2/s)

       Ea是活化能(ev)

       在低濃度時(shí),擴(kuò)散系數(shù)對(duì)溫度倒數(shù)為線性關(guān)系,而與濃度無(wú)關(guān)

62)   Diffusion Furnace 擴(kuò)散爐

在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成。這樣的爐管就叫做擴(kuò)散爐。