亚洲AV日韩AV无码污污网站_亚洲欧美国产精品久久久久久久_欧美日韩一区二区视频不卡_丰满无码人妻束缚无码区_久爱WWW成人网免费视频

芯片漏電定位微光顯微鏡分析技術

發(fā)布:探針臺 2020-02-06 12:19 閱讀:1653
9jal D X  
VfnL-bDGV  
EMMI(微光顯微鏡 uo:RNokjJ  
      對于失效分析而言,微光顯微鏡是一種相當有用,且效率極高的分析工具,主要偵測IC內部所放出光子。在IC原件中,EHPRecombination會放出光子,例如:在PN Junction加偏壓,此時N的電子很容易擴散到P, 而P的空穴也容易擴散至N,然后與P端的空穴做EHP Recombination。 %'2P4(  
Jf^3nBZ  
偵測到亮點之情況 @2Z|\ojJ  
會產生亮點的缺陷:1.漏電結;2.解除毛刺;3.熱電子效應;4閂鎖效應; 5氧化層漏電;6多晶硅須;7襯底損失;8.物理損傷等。偵測不到亮點之情況 不會出現(xiàn)亮點之故障:1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置);2.歐姆接觸;3.金屬互聯(lián)短路;4.表面 反型層;5.硅導電通路等。 ^twyy9VR  
點被遮蔽之情況:埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,這種情 況可采用Backside模式,但是只能探測近紅外波段的發(fā)光,且需要減薄及拋光處理。 9ihg[k  
{j wv+6]U  
測試范圍: N.|F8b]v  
故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點 $Itmm/M  
測試內容: