問：幫我看下TO-220，CTCT500后 IDSS BVDSS失效，分析有一顆芯片表面有類似燒傷，其余未見異常，這種封裝上還有什么可能會造成呢？ vF{{$)c  
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答：以下供你參考，可以重點考慮粘片工藝控制過程造成異常。（塑封料與引線框架分層，形成水汽進入通路。此模式短期內(nèi)可使器件的漏電增大，長時間可以引起電極電化學(xué)腐蝕。） U]E~7C  
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TO220封裝的芯片背面電極與引線框架的物理連接及電連接是通過粘片工藝實現(xiàn)的。粘片工藝實現(xiàn)情況的好壞直接影響到器件的參數(shù)與可靠性，特別是對于功率器件的影響更加明顯。對于TO-220、TO-263封裝的功率型器件而言，現(xiàn)在一般采用融點焊錫絲，焊錫拍扁成型，芯片放置，焊錫冷卻成型等幾個步驟來實現(xiàn)粘片工藝。 ir;az{T#U  
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我們發(fā)現(xiàn)器件生產(chǎn)中或者器件可靠性的多種失效模式都產(chǎn)生于粘片工藝。我們認為以下缺陷與粘片工藝有關(guān)： {%Q+Pzl.  
a、焊料縮錫， <q4<3A  
b、焊料空洞率高， cEPqcy *  
c、焊料熱疲勞能力差， ^K'XlM`a  
d、芯片背裂。 [Al}GM  
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塑封料與引線框架、芯片分層，以及在各種應(yīng)力條件下分層情況加重是塑封器件的最重要的失效模式之一。塑封分層可引起器件的多種失效，一般有以下幾種： #ChF{mh  
a、塑封料與引線框架分層，形成水汽進入通路。此模式短期內(nèi)可使器件的漏電增大，長時間可以引起電極電化學(xué)腐蝕。 {@X)=.Zf  
b、塑封料與碳化硅二芯片表面分層，可以使鍵合點與芯片金屬層分離，或者接觸不良，引起器件失效。 HAcC& s8  
c、在塑封料與引線框架分層的條件下，某些外力作用于器件，可以使芯片分層（芯片底部的襯底開裂）或者使焊料分層，使器件的正向電壓異常升高。 P[gYENQ   
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器件受到以下幾種應(yīng)力時，分層情況可能加�。� >s;dooZ  
a、器件安裝時受到的機械或者熱應(yīng)力。 sH{(=N  
b、器件受到一定物理沖擊。例如跌落或者其他對背面散熱片的物理沖擊。在大量的產(chǎn)品生產(chǎn)過程中遇到過多次此種現(xiàn)象。此種可能容易被忽略。 8SO(pw9  
c、溫度沖擊，主要指一些使用環(huán)境溫度的急速變化。芯片、焊料、鍵合絲、塑封料、引線框架等的材質(zhì)不同，其線膨脹系數(shù)不同，在溫度變化時各部分間都會產(chǎn)生應(yīng)力使分層現(xiàn)象加劇。