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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （七） 當(dāng)MOS組件愈小，信道的長度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體 的通道長度并不能無限制縮減，當(dāng)長度縮短到一定的程度之后，各種因通道長度變小所衍生的問題便會發(fā)生，這個現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。 202) Selectivity選擇性 兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之: 例如，復(fù)晶電漿蝕： 對復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分) 對氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分) 則復(fù)晶對氧化層的選擇性:S 20OO Å/min  S= ＝10 2OO Å/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 203) Silicide硅化物 一般稱為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦 |
