帖子
勛章
關(guān)注
任務(wù)
半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)解釋 （四） 以加強(qiáng)型NMOS為例，當(dāng)MOS管的通道長(zhǎng)度變短，通道內(nèi)的橫向電場(chǎng)將增加，這使通道內(nèi)的電子因電場(chǎng)加速所獲得的能量上升，尤其是在通道與漏極相接的附近，電子的能量很高。 因?yàn)檫@些電子的能量比其它尚處在在熱平衡狀態(tài)的電子要高，所以稱為熱電子。所以漏極附近的電子便有機(jī)會(huì)被這些熱電子撞擊而提升至導(dǎo)帶，而產(chǎn)生許多的電子-電洞。 117) Hot Electron Effect熱電子效應(yīng) 在VLSI的時(shí)代 ，Short Channel Device勢(shì)在必行，而目前一般 Circuit應(yīng)用上又未打算更改Supply Voltage；如此一來(lái)，Vg = Vds = 5V情況下，將造成Impact Ionization（撞擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain 鄰近區(qū)域。伴隨而生的Electron-Hole pairs(電子電洞對(duì))，絕大部份經(jīng)由Drain (Electrons) or Sub. (Holes)導(dǎo)流掉。 但基于統(tǒng)計(jì)觀點(diǎn)，總會(huì)有少部份Electrons（i. e. Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2 的Barrier Height (能障)，而射入SiO2， 且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過(guò)程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成Interface Trap于Si-SiO2界面。不論遵循上述二者之任一，均將導(dǎo)致NMOS Performance的退化(Degradation)現(xiàn)象。 118) HPM（hydrochloric acid hydrogen peroxidemixture） HCl+H2O2+DI Water混合液體的簡(jiǎn)稱，常用來(lái)去除移動(dòng)金屬離子。 119) HF Hydrofluoric Acid 氫氟酸，常用來(lái)去除氧化層的清洗制程。 120) IC (Integrated Circuit )集成電路 集成電路是一九五八年由美國(guó)的德卅儀器公司所發(fā)明的。它是將一個(gè)完整的電子電路處理在一塊小小的硅芯片上，然后再以金屬聯(lián)機(jī)與外在引線相接，外加陶瓷或塑料包裝的裝置，由于它能將原本需要許多零件的電子電路集中縮小，因此被稱為集成電路。它具備優(yōu)于傳統(tǒng)電子電路的三個(gè)特性：體積小、價(jià)廉、可靠。 依照其集積化的程度可區(qū)分為小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成電路 121) Implant離子植入 離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定 Ø 摻雜的均勻性好 Ø 溫度低：小于600℃ Ø 可以精確控制雜質(zhì)分布 Ø 可以注入各種各樣的元素 Ø 橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多。 Ø 可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜 122) Inter-Layer Dielectrics 內(nèi)層介電材料 簡(jiǎn)稱ILD,指第一層金屬層與Si底材之間的介電層，我們常用的是BPSG. 123) Impurity雜質(zhì) 純粹的硅是金剛石結(jié)構(gòu)，在室溫下不易導(dǎo)電。（如圖一）。 這時(shí)如加入一些B11 或As75取代硅的位置，就會(huì)產(chǎn)生"電洞"或 “載子"，加以偏壓后就可輕易導(dǎo)電。加入的東西即稱為雜質(zhì)。(圖二，圖三)。 |
