帖子
勛章
關(guān)注
任務(wù)
半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （二） 我們將使原本本征的半導(dǎo)體產(chǎn)生多余電子的雜質(zhì)，稱為施體。如摻入p的情況。 46) Dopant 摻雜 在原本本征的半導(dǎo)體里主動(dòng)的植入或通過擴(kuò)散的方法將其它的原子或離子摻入進(jìn)去，達(dá)到改變其電性能的方法。如離子植入。 47) Dopant Drive in 雜質(zhì)的趕入 我們離子植入后，一般植入的離子分布達(dá)不到我們的要求，我們通過進(jìn)爐管加高溫的方式將離子進(jìn)行擴(kuò)散，以達(dá)到我們對(duì)離子分布的要求，同時(shí)對(duì)離子植入造成的缺陷進(jìn)行修復(fù)。 48) Dopant Source摻雜源 我們將通過擴(kuò)散的方法進(jìn)行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫 摻雜源。 49) Doping摻入雜質(zhì) 為使組件運(yùn)作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有： 1.預(yù)置: 在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴(kuò)散;或利用沉積時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)置。 2.離子植入: 先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。 50) Dosage 劑量 表示離子數(shù)的一個(gè)參數(shù)。 51) DRAM, SRAM動(dòng)態(tài)，靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要的差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)，在一 段時(shí)間(一般是0.5ms~5ms）后，數(shù)據(jù)會(huì)消失，故必須在數(shù)據(jù)未消失前讀取原數(shù)據(jù)再重寫(refresh)，此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個(gè)Transistor(晶體管）+一個(gè)Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。而SRAM則有不需重寫、速度快的優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類: 1. 需要六個(gè)Transistor(晶體管） 2. 2﹒四個(gè)Transistor(晶體管）+兩個(gè)Load resistor(負(fù)載電阻)。 由于上述它優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(jī)(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。 52) Drain 汲極 通過摻雜，使其電性與底材P-Si相反的，我們將其稱為汲極與源極。 53) Drive In 驅(qū)入 離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級(jí))的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱的驅(qū)入。此法不再加入半導(dǎo)體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導(dǎo)體內(nèi)更深入的推進(jìn)。 在驅(qū)入時(shí)，常通入一些氧氣﹒因?yàn)楣柩趸瘯r(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會(huì)有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion)，這是需要注意的 54) Dry Oxidation 干式氧化 在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應(yīng)。我們將這種氧化叫干式氧化。 如我們的Gate-OX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。 55) Dry pump Ø Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來工作的，它主要的特點(diǎn)是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨(dú)使用。 Ø 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可 Ø 特點(diǎn)：Fewer moving parts Higher Reliability Less complexity High speed |
