集成電路發(fā)展歷史 ]lGkZyUhI  
　1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑； 3'L =S  
　1950年：結(jié)型晶體管誕生； [Y`E"1f2  
　1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝； cy6YajOk7  
　1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明； !sI^Lh,Y  
　1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝； /<T{g0s  
　1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開(kāi)創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史； cCiDe`T\F  
　1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝； w$&;s<0  
　1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管； %F150$(D  
　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝； bydI+pVMo  
　1964年：Intel的摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍； GJU(1%-  
    1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問(wèn)世； au=@]n#<(  
　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； s^PsA9EAn  
　1985年：80386微處理器問(wèn)世，20MHz； ,tZL"  
　1988年：16M DRAM問(wèn)世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入甚大規(guī)模集成電路（ULSI）階段； 8H};p
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　1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)； I+Yq",{%  
　1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來(lái)50MHz芯片采用 0.8μm工藝； !}x-o`a5  
　1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問(wèn)世； FU*q9s