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1 擴散技術 ;S xFp  

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   向半導體中摻雜的方法有擴散和離子注入法。擴散法是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)一種方法。優(yōu)點是批量生產(chǎn)，獲得高濃度摻雜。雜質(zhì)擴散有兩道工序：預擴散( 又稱預淀積 Predeposition ) 和主擴散 ( drive in )。 y4+;z2'>  
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預擴散工序是在硅表面較淺的區(qū)域中形成雜質(zhì)的擴散分布，這種擴散分布中，硅表面雜質(zhì)濃度的大小是由雜質(zhì)固溶度來決定的。 Zo>]rKeV  
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主擴散工序是將預擴散時形成的擴散分布進一步向深層推進的熱處理工序。雜質(zhì)的擴散濃度取決于與溫度有關的擴散系數(shù)D的大小和擴散時間的長短。硅集成電路工藝中，往往采用硼作為P型雜質(zhì)，磷作為N型雜質(zhì)。它們固溶度高，均10 20 cm –3。除此之外，還使用砷和銻等系數(shù)小的雜質(zhì)，這對于不希望產(chǎn)生雜質(zhì)再分布的場合是有效的。雜質(zhì)擴散層的基本特性參數(shù)是方塊電阻RF和結(jié)果Xj。RF可用四探針測量法。Xj可用傾斜研磨 (Angle lapping) 和染色 (staining) 法，(如用HF：H3PO4 = 1：6 使P層黑化)，或擴展電阻( spreading resistance) 法來進行評估。傾斜研磨后，經(jīng)侵蝕的酸溶液蝕刻，將guttering后集積在晶片下半部的析出物凸顯出來，顯現(xiàn)出密度的軌跡，而在靠晶片的表面附近出現(xiàn) 一段空泛區(qū)，經(jīng)過角度換算，約20um。 ccd8O{G.M  
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8)用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成N型阱 };'\~g,1  
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9) 退火處理，然后用HF去除SiO2層 lsN~*q?~]  
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10) 干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅 {mB0rKVm  
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此時P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。 >vo=]cw  
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11) 利用光刻技術和離子刻蝕技術，保留下柵隔離層上面的氮化硅層 !'L
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12) 濕法氧化，生長未有氮化硅保護的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū) kA7mLrON  
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