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1 常壓CVD (Normal Pressure CVD) ~:UAL}b{\~  
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    NPCVD為最簡單的CVD法，使用于各種領(lǐng)域中。其一般裝置是由(1)輸送反應(yīng)氣體至反應(yīng)爐的載氣體精密裝置；(2)使反應(yīng)氣體原料氣化的反應(yīng)氣體氣化室；(3)反應(yīng)爐；(4)反應(yīng)后的氣體回收裝置等所構(gòu)成。其中中心部分為反應(yīng)爐，爐的形式可分為四個種類，這些裝置中重點為如何將反應(yīng)氣體均勻送入，故需在反應(yīng)氣體的流動與基板位置上用心改進(jìn)。當(dāng)為水平時，則基板傾斜；當(dāng)為縱型時，著反應(yīng)氣體由中心吹出，且使基板夾具回轉(zhuǎn)。而汽缸型亦可同時收容多數(shù)基板且使夾具旋轉(zhuǎn)。為擴散爐型時，在基板的上游加有混和氣體使成亂流的裝置。 zj;KtgcE  
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2 低壓CVD (Low Pressure CVD) <d3a  
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     此方法是以常壓CVD 為基本，欲改善膜厚與相對阻抗值及生產(chǎn)所創(chuàng)出的方法。主要特征：(1)由于反應(yīng)室內(nèi)壓力減少至10-1000Pa而反應(yīng)氣體，載氣體的平均自由行程及擴散常數(shù)變大，因此，基板上的膜厚及相對阻抗分布可大為改善。反應(yīng)氣體的消耗亦可減少；(2)反應(yīng)室成擴散爐型，溫度控制最為簡便，且裝置亦被簡化，結(jié)果可大幅度改善其可靠性與處理能力(因低氣壓下，基板容易均勻加熱)，因基可大量裝荷而改善其生產(chǎn)性。 %wmbFj}  
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3 熱CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) J~5+=V7OV  
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   此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強度極強，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時進(jìn)行多片基片的處理，壓力一般控制在0.25-2.0Torr之間。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650 oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反應(yīng)面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400 --4500 oC的溫度下形成 cq1)b\