晶圓清洗 `'mRGz7t  
摘要：介紹了半導體IC制程中存在的各種污染物類型及其對IC制程的影響和各種污染物的去除方法, 并對濕法和干法清洗的特點及去除效果進行了分析比較。 L"?4}U:  
; c1 {2 u5 g) G   x/ f) `9 d關(guān)鍵詞：濕法清洗；RCA清洗；稀釋化學法；IMEC清洗法；單晶片清洗；干法清洗 tpeMq-  
. Q# t, ~6 g6 f& j8 P/ ?中圖分類號：TN305.97 文獻標識碼：B 文章編號：1003-353X(2003)09-0044-048 kDE:KV<"c  
1前言 j\Fbi3H  
半導體IC制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴散、外延生長及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質(zhì)�！� H.l WHM+H4  
' O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物雜質(zhì)的分類 nSZp,?^  
8 ?. X8 k$ Y1 y+ [' F5 ^) \% f" dIC制程中需要一些有機物和無機物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。 [{T/2IGq  
   C$ a: E& t5 [6 B3 v- ~2.1 顆粒, @/ e& ~, I/ |# C$ R ~j!|(a7
  
& @# R' H+ X8 n& l6 U4 D& @顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑和蝕刻雜質(zhì)等。通常顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對顆粒的去除方法主要以物理或化學的方法對顆粒進行底切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，最終將其去除。