FIB(聚焦離子束)應用FIB(聚焦離子束)機臺的應用即是將混合鎵、液體及金屬的離子源照射于樣品表面,以取得影像或去除物質,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似。 但FIB的發(fā)送電壓由30kv升至50kv,使鎵離子以大于電子125倍的密度撞擊樣品表面,過程不需要加入鹵氣,而是以物理噴濺的方式讓有機氣體搭配電子或離子槍,有效剝除金屬或硅氧層。 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針 對性的測試,以便更快、更準確的驗證設計方案。若芯片部分區(qū)域有問 題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在最終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣 片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計 方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cross-Section截面分析 用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結構與材質,定點分析芯片結構缺陷。 |