主要用途 j#$ R.  
G4{ zt3{  
當氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。 u7ZSs-LuHw  

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性能參數(shù) ;Xk-hhR  
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a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素； y2gI]A  
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