RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。 Y]VLouzl