假定我們在晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說，但是但實(shí)際鍍膜過程中我們會(huì)看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會(huì)有鉆坑，這時(shí)要穩(wěn)定原來的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動(dòng)提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動(dòng)時(shí)時(shí)控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時(shí)時(shí)輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問題。

晶控儀測量速率，并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） .TN9N  
而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 Fejs9'cB  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過程中坩堝狀態(tài)會(huì)有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時(shí)間等參數(shù)，保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 9HOdtpQOV  
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自動(dòng)情況下，一般是晶控儀的功率輸出（模擬量，如0~10V，在界面上顯示百分比功率）直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接，最后相當(dāng)于直接控制。 ! K
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morningtech:晶控儀測量速率，并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） Me[T=Tt`@w  
而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 Y[9x\6 _E  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過程 .. (2019-07-15 19:59)  iy Zs:4jkc  

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謝謝您的回復(fù)，想了想假設(shè)參數(shù)條件正常，現(xiàn)觀測到速率曲線不穩(wěn)定，同時(shí)輸出功率也在波動(dòng)，那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢必也是在不斷調(diào)整中，那么問題來了，也就是您所說的有上述原因，因?yàn)椴豢煽匾蛩�，故只能合理變向改善工藝已及根�?jù)材料特性作出對結(jié)果有利的參數(shù)

有些因素不是不可控，只是對晶控儀來說不可控。 g nJe!E  
沉積速率不穩(wěn)定的原因，有很多方面。 7$'%*|C.  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系統(tǒng)自身也存在原因： ]W3D4Swq  
晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況（如新舊）。PID參數(shù)，甚至晶控儀自身老化。都是原因。 /~V.qisZ  
另一方面，速率穩(wěn)定是相對的，10%以內(nèi)變化一般可以接受。 _