芯片漏電是失效分析案例中最常見(jiàn)的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來(lái)，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). ;43Ye ^=  
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目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請(qǐng)了專#利（日本OBIRCH、美國(guó)TIVA、新加坡VBA）。國(guó)內(nèi)大多數(shù)人認(rèn)為只有OBIRCH才是激光誘導(dǎo)，其實(shí)TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術(shù)。三種技術(shù)都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測(cè)出哪個(gè)位置的阻抗有較明顯變化，這個(gè)位置就可能是漏電位置。偵測(cè)阻抗變化就是用電壓和電流來(lái)反映，下面是三個(gè)技術(shù)原理： 1henQiIO  
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1、OBIRCH和TIVA 0goKiPx  
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