芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). IW\^-LI.  
:rb;*nY!  
目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請了專#利（日本OBIRCH、美國TIVA、新加坡VBA）。國內(nèi)大多數(shù)人認為只有OBIRCH才是激光誘導(dǎo)，其實TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術(shù)。三種技術(shù)都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化，這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映，下面是三個技術(shù)原理： rj=as>6B  
fu!T4{2  
1、OBIRCH和TIVA rUKg<]&@  
}b1G21Dc!  

圖片:圖片1.png

Q:P)g#suc  
如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。 `3\aX|4@  
NJBSVCb  
OBIRCH；給器件回路加上一個電壓V，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電流I1的變化. }d.X2?  
2;Z 0pPR&  
TIVA：給器件回路加上一個微小電流I1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電壓V的變化. }d%CZnY&7  
m"!SyN}&9?  
2、VBA技術(shù) $@
Vn+| Ix  
)BJkHED{  

圖片:圖片2.png

R'gd/.[e