日前，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所“極紫外光刻機光源技術(shù)研究”項目通過驗收，這標(biāo)志著我國在下一代芯片工藝核心技術(shù)——極紫外光刻(EUVL)光源轉(zhuǎn)換效率上已達國際先進水平。 Opu*i  
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  作為一種新型的微電子光刻技術(shù)，“極紫外光刻”以波長為13.5納米的“軟X射線”為曝光光源，最終將成為生產(chǎn)更細線寬集成電路的主流技術(shù)。