單光子源是一種重要的量子光源，是量子信息技術的核心之一，在量子保密通信的量子密鑰分配中，單光子源對于利用量子秘鑰分配協(xié)議安全傳遞信息至關重要；在量子計算方面，為滿足全光量子中繼器等應用，需要極高純度的單光子源。但目前的單光子光源制備技術遠不能滿足各種量子技術應用的需求，特別是在可控地大規(guī)模制備高純度單光子光源的方面，面臨各種困難和挑戰(zhàn)。

鑒于此，清華大學電子系寧存政教授團隊將激光加工的可控性大規(guī)模制作能力和二維寬禁帶半導體材料氮化硼（hBN）的優(yōu)異性質相結合，解決了目前單光子光源存在的幾個關鍵問題，實現(xiàn)了空間可控地大規(guī)模制作高純度、高亮度的單光子光源。

六方氮化硼（hBN）是一種新的寬帶半導體，由于其層狀結構，容易剝離成薄層甚至單分子層厚度，優(yōu)異的材料性質和易于同其他二維材料集成等特點，近年來得到極大地關注。人們發(fā)現(xiàn)在六方氮化硼中可以制備出室溫下的單光子源，并且其具有穩(wěn)定性好和易于集成的特點，使其成為最有希望走向實際應用的單光子源。目前研究人員通常是通過對hBN高溫退火、化學腐蝕、電子束/離子束/中子輻照、應力誘導等方法產生單光子源。雖然這些方法都可以在hBN中制備出單光子，但是這些方法都存在某些缺點，比如所產生的單光子源性亮度或者純度不高，單光子源產率低或者對所加工的設備和工藝要求很高等。因此，有必要探索一種簡單高效制備高質量單光子源的方法。

激光加工單光子源是通過超短強脈沖照射產生的缺陷作為發(fā)光光源，這種做法具有空間可控、可大規(guī)模制作的優(yōu)勢，但以前的做法由于熱效應沒有很好解決，存在效率和純度問題。此次研究的主要做法是通過對單脈沖參數(shù)的優(yōu)化，空間給定點只進行單脈沖照射，有效地避免了熱效應和低純度問題。該實驗團隊通過單脈沖飛秒激光照射的方法，在hBN薄層上實現(xiàn)了單光子源的高效制作。每100個單脈沖飛秒激光照射位置中可以產生43個單光子源，是目前自上而下制作方法中產率最高的一種。并且制作得到單光子源的純度及亮度都很高，其中衡量單光子指標的二階關聯(lián)函數(shù)g2(0)最小值為0.06 ± 0.03，單光子發(fā)射強度最高為8.69Mcps，是目前制作得到的最亮的單光子源之一。此外，飛秒激光直寫技術對材料的加工基于多光子吸收等非線性過程，可以突破衍射極限誘導產生人為可控的高空間分辨的微納結構，不需要昂貴的微納加工設備及工藝條件，并且可以用于大規(guī)模的生產。

圖1.制備得到的不同尺寸缺陷結構陣列(a)及相應的光致發(fā)光圖像(b)(c)。(d)為統(tǒng)計得到的不同尺寸下單光子源產率