此外，研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)和制備了分束比為50:50的4H-SiC 1×2 MMI器件（圖1d和e），通過光纖分別收集兩個(gè)光柵耦合器的光致發(fā)光譜信號并傳輸?shù)焦庾V儀中，上下光柵相同的計(jì)數(shù)率顯示了MMI器件50/50功率分束比（圖2a和b）。在對確定性單光子二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的片上實(shí)驗(yàn)測量中，研究人員分別通過連續(xù)波激光器和脈沖激光器激勵(lì)，在零延時(shí)處測得了g⁽²⁾(0) = 0.20 ± 0.03和g⁽²⁾(0) = 0.12 ± 0.02，低于經(jīng)典極限（0.5），表明了光子的反聚束現(xiàn)象（圖2c和d）。該工作成功地在晶圓級4H-SiC光子芯片上實(shí)現(xiàn)QD確定性單光子源的混合集成，并實(shí)現(xiàn)了對確定性單光子二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的片上實(shí)驗(yàn)測量，為實(shí)現(xiàn)同時(shí)具有確定性單光子源的CMOS兼容的快速可重構(gòu)量子光子電路提供了一種新的解決方案和研究思路。 

圖2.  (a)和(b)是分別從頂部和底部光柵耦合器上采集的量子點(diǎn)光致發(fā)光譜（PL），插圖分別顯示了MMI器件針對量子點(diǎn)激子發(fā)光峰（X）的二維PL掃描圖，其中的標(biāo)尺長度為8 μm；(c)和(d)為從分離的兩個(gè)光柵耦合器中收集的激子光子的歸一化二階空間互相關(guān)函數(shù)，分別在連續(xù)波激光激勵(lì)條件下(c)和脈沖激光激勵(lì)條件下(d)測量 

相關(guān)研究工作得到國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、上海市科委啟明星項(xiàng)目、中科院前沿科學(xué)重點(diǎn)資助項(xiàng)目等的支持。 

論文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202200172