從從福州大學獲悉，該校李福山教授團隊聯(lián)合中科院寧波材料所錢磊研究員，利用有序分子自組裝技術和轉移印刷技術相結合的方法，提出一種抑制高分辨率器件漏電流的新策略，制備了高性能的超高分辨率量子點發(fā)光二極管（LED）。相關研究論文日前在線發(fā)表于國際頂級期刊《自然-光子學》。

近年來，在“元宇宙”、智慧醫(yī)療等新興概念的驅動下，下一代顯示器為像素分辨率設定了更高的標準，以滿足海量信息及近眼顯示等不斷升級的應用需求。開發(fā)具有千級乃至萬級PPI（每英寸所擁有的像素數目）、可在微小空間輸出海量信息的極高分辨率顯示器，是進入“元宇宙”的重要途徑。量子點發(fā)光二極管由于其優(yōu)異的光電特性，如高色純度、高發(fā)光效率等在照明顯示領域具有廣闊的應用前景。然而，如何實現(xiàn)量子點發(fā)光二極管的高分辨率像素化，仍然是一個關鍵瓶頸。 

在該研究中，研究人員利用有序分子自組裝技術實現(xiàn)了致密無缺陷的量子點單層膜，并結合轉移印刷技術實現(xiàn)了亞微米級像素的超高分辨率量子點顯示，其最高分辨率達到~25000PPI（人眼極限分辨率約為300PPI），實現(xiàn)了量子點圖案化薄膜的均勻拾取和釋放，可以輕松制備出亞微米級像素的超高分辨率量子點發(fā)光二極管。這是目前報告的顯示器件的最高像素密度之一。

（a）LB-TP工藝示意圖；（b）微結構PDMS印章的光學顯微鏡圖像；（c-d）微結構PDMS印章的掃描電子顯微鏡圖像（直徑，間距和高度均為500 nm）。

值得一提的是，研究團隊首次提出在發(fā)光量子點像素之間嵌入蜂窩狀圖案的非發(fā)光電荷阻擋層，這種均勻致密的阻擋層有效地降低了器件的漏電流，極大地提高了器件的效率。與之前的研究比較，該成果在高分辨率量子點顯示方面具有更佳性能，為實現(xiàn)具有高性能的超高分辨率發(fā)光顯示開辟了一條全新的路線。

據介紹，這種新型的高分辨率圖案化方法在未來可以進一步實現(xiàn)全彩顯示。超高分辨率量子點發(fā)光二極管的前景可以應用于下一代“近眼”設備，比如虛擬現(xiàn)實 (VR) 和增強現(xiàn)實 (AR) 應用的頭戴式顯示器和智能眼鏡等。

相關鏈接：https://doi.org/10.1038/s41566-022-00960-w