蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在光學(xué)模式與偏振復(fù)用器領(lǐng)域取得新發(fā)現(xiàn)
在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積一層氮化硅薄膜，通過成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層可以得到氮化硅-鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導(dǎo)，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來的波導(dǎo)側(cè)壁角度等問題，并基于該波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了高性能的模式和偏振復(fù)用器件。
 器件的靜態(tài)測試結(jié)果顯示，在覆蓋C波段的寬波長范圍內(nèi)，模式復(fù)用/解復(fù)用器的插入損耗低于1.46 dB，模間串?dāng)_低于-13.03 dB，偏振旋轉(zhuǎn)分束器的插入損耗低于1.49 dB，偏振消光比大于17.75 dB，如圖3、圖4所示。進(jìn)一步地，研究人員還對器件進(jìn)行了40 Gbps數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)，得到的眼圖清晰張開，誤碼率測試展示了較低的功率損失，證明所制備的器件具有良好的數(shù)據(jù)處理能力。  圖3.從模式復(fù)用/解復(fù)用器的不同信道（(a)-(d)依次為TE0-TE3）輸入信號時，不同輸出端口測量的傳輸光譜。  圖4.從偏振旋轉(zhuǎn)分束器的不同信道（(a)、(b)依次為TE0、TM0）輸入信號時，不同輸出端口測量的傳輸光譜。 相關(guān)鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202100529 |
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