近日，中國科學院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室提出了一種基于虛擬邊（Virtual Edge）與雙采樣率像素化掩模圖形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光學鄰近效應修正技術（Optical proximity correction, OPC）。仿真結(jié)果表明該技術具有較高的修正效率。相關研究成果已發(fā)表在《Optics Express》(29(11), 17440-17463, 2021)。

光刻是極大規(guī)模集成電路制造的關鍵技術之一，光刻分辨率決定了集成電路的特征尺寸。隨著集成電路圖形的特征尺寸不斷減小，光刻系統(tǒng)的衍射受限屬性導致明顯的光學鄰近效應，降低了光刻成像質(zhì)量。在光刻機軟硬件不變的情況下，采用數(shù)學模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數(shù)等進行優(yōu)化，可有效提高光刻分辨率、增大工藝窗口，此類技術即計算光刻技術（Computational Lithography），被認為是二十一世紀推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的新動力。

OPC技術通過調(diào)整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應，從而提高成像質(zhì)量�；�于模型的OPC技術是實現(xiàn)90nm及以下技術節(jié)點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。中科院上海光機所研究團隊提出的這種基于虛擬邊與雙采樣率像素化掩模圖形的快速光學鄰近效應修正技術，能夠?qū)⒉煌�類型的成像失真歸結(jié)為兩種類型的成像異常，即內(nèi)縮異常與外擴異常。利用不同的成像異常檢測模板，依次在掩模圖形的邊緣和拐角等輪廓偏移判斷位置進行局部成像異常檢測，確定異常類型及異常區(qū)域的范圍。根據(jù)異常檢測位置與異常區(qū)域范圍，自適應產(chǎn)生虛擬邊。通過移動虛擬邊調(diào)整掩模的局部透過率分布，從而修正局部成像異常。借助修正策略和修正約束，實現(xiàn)高效的局部修正和全局輪廓保真度控制。另外，雙采樣率像素化掩模充分利用了成像系統(tǒng)的衍射受限屬性，在粗采樣網(wǎng)格上進行成像計算與異常檢測，在精采樣網(wǎng)格上進行掩模修正，兼顧了成像計算效率與掩模修正分辨率。利用多種掩模圖形進行驗證，仿真結(jié)果表明該OPC技術的修正效率優(yōu)于常用的基于啟發(fā)式算法的OPC技術。

相關研究得到了國家02科技重大專項和上海市自然科學基金項目的支持。

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