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  • 解析國(guó)內(nèi)外LED封裝技術(shù)進(jìn)展

    作者:萬遠(yuǎn)濤 來源:杭州士蘭明芯科技有限公司 時(shí)間:2012-05-07 11:16 閱讀:967 [投稿]
    LED光電產(chǎn)業(yè)還是一個(gè)新興產(chǎn)業(yè),涉及到芯片制造技術(shù)、封裝技術(shù)、散熱技術(shù)、二次配光技術(shù)、智能控制技術(shù)等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域。

    目前,LED光電產(chǎn)業(yè)還是一個(gè)新興產(chǎn)業(yè),涉及到芯片制造技術(shù)、封裝技術(shù)、散熱技術(shù)、二次配光技術(shù)、智能控制技術(shù)等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域。它具有耗電量少、壽命長(zhǎng)、無污染、色彩豐富、耐震動(dòng)、可控性強(qiáng)等特點(diǎn)。 

    隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,LED的亮度有了較大的提高,LED芯片的價(jià)格也在逐漸降低。由于PC-LED(色轉(zhuǎn)換型發(fā)光二級(jí)管)的發(fā)光效率逐年增加,目前Cree報(bào)道其實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)已超過231 lm/w。LED芯片襯底的價(jià)格在LED芯片的占有很大的比重,現(xiàn)階段主要是藍(lán)寶石襯底,其價(jià)格相對(duì)較高。 

    普瑞光電公司于2011年3月宣布,他們已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,135 lm/W的氮化鎵硅襯底GaN-on-Silicon生產(chǎn)技術(shù)代表了行業(yè)界第一個(gè)商業(yè)級(jí)硅襯底LED技術(shù)的突破。 

    國(guó)外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r 

    作為歐洲傳統(tǒng)照明巨頭的飛利浦和歐司朗于2000年前投入巨資開始了LED照明基礎(chǔ)技術(shù)的研究,其中歐司朗在白光LED用熒光材料方面一直具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。而飛利浦(Philips)則攜其資本的強(qiáng)大優(yōu)勢(shì),在LED應(yīng)用領(lǐng)域首先收購(gòu)美國(guó)Lumileds公司及其他具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)的方案公司,取得其多項(xiàng)核心技術(shù)。 

    美國(guó)以Cree為代表在LED方面有多項(xiàng)專利技術(shù),其中最具代表的是SiC襯底技術(shù),SiC襯底與GaN材料的晶格適配度只有3.5%,而現(xiàn)階段其他廠商用的藍(lán)寶石襯底與GaN材料的晶格適配度高達(dá)17%。不僅如此,SiC襯底具有良好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性,故不采用Al2O3- GaN-LED的倒裝焊技術(shù)就可以解決散熱問題,而是采用上下電極的結(jié)構(gòu)。但是SiC 襯底的缺點(diǎn)就是價(jià)格比較昂貴,且難以制備。


    超高亮度的LED藍(lán)光技術(shù)是由日本人中村修二于1980年代研發(fā)出來。日本市場(chǎng)對(duì)LED應(yīng)用的支持力度非常大,隨著近些年政府強(qiáng)力推出積分換購(gòu)LED產(chǎn)品的計(jì)劃,LED產(chǎn)品在日本市場(chǎng)的銷售增長(zhǎng)率一直遙遙領(lǐng)先于其他國(guó)家。對(duì)于韓國(guó)以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)由于擁有較為成熟的半導(dǎo)體制造和研發(fā)技術(shù),目前全世界70%的中高端LED芯片制造都是在這個(gè)區(qū)域完成。 

    中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r 

    我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步于20世紀(jì)60年代,80年代形成產(chǎn)業(yè)。大部分核心專利技術(shù)掌握在Nichia(日亞)、Cree、Toyoda Gosei、Lumileds及Osram等少數(shù)大公司手中,每年國(guó)內(nèi)的關(guān)于LED的專利申請(qǐng)雖然也很多,但是缺乏核心技術(shù),基本集中在LED封裝以及LED燈具的應(yīng)用方面。 

    至今年8月,中國(guó)半導(dǎo)體照明的總產(chǎn)值已達(dá)到900億元。上游外延和芯片領(lǐng)域,去年投產(chǎn)的MOCVD為135臺(tái),至今年年底將有300臺(tái)MOCVD安裝完畢,預(yù)計(jì)到2012年會(huì)接近1000臺(tái),2015年會(huì)超過1500臺(tái),產(chǎn)值達(dá)到225億。并且中游封裝領(lǐng)域,企業(yè)開始向下游應(yīng)用延伸,下游應(yīng)用領(lǐng)域,發(fā)展至2011年,中國(guó)生產(chǎn)照明用功率器件廠家有上百家之多,生產(chǎn)大功率LED品質(zhì)也各不相同。 

    國(guó)內(nèi)目前以國(guó)星光電、九州光電、瑞豐光電、山西光宇、中宇光電等廠家生產(chǎn)的照明用LED代表國(guó)產(chǎn)器件的較高水平。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)LED芯片的主要廠家有三安光電、迪源光電、華燦光電、士蘭明芯、上海藍(lán)光、上海藍(lán)寶。 

    LED襯底以及芯片制造占70%的利潤(rùn),封裝占20%的利潤(rùn),封裝產(chǎn)品的應(yīng)用占10%的利潤(rùn)。中國(guó)的外延材料與核心器件仍然處于中低端的水平,缺乏低成本、高可靠性的核心器件,支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心設(shè)備依賴進(jìn)口。 

    一直以來,我國(guó)都是LED的封裝大國(guó),國(guó)內(nèi)具有代表性的公司是國(guó)星光電,最近國(guó)星光電首創(chuàng)一種新型基于高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬+PCB板的大功率LED封裝結(jié)構(gòu),其采用最新的平面陣列硅膠塑封成型工藝制造的LED,具有光效高、熱阻低、顯色性好、壽命長(zhǎng)和可靠性高等特點(diǎn)。但是做封裝的企業(yè)主要集中在中低端LED器件封裝領(lǐng)域,而高端LED器件封裝領(lǐng)域,涉足的企業(yè)還很少。 

    我國(guó)的功率型LED芯片以及一些封裝的輔助材料還需要進(jìn)口,一定程度上受到國(guó)外的制約,大功率的LED封裝工藝有待進(jìn)一步完善,尚不能形成完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈。大功率LED的發(fā)展一直以照明應(yīng)用為主要目標(biāo)。 

    國(guó)內(nèi)的封裝產(chǎn)品多采用傳統(tǒng)的灌封工藝,即將熒光粉與高透射率的硅樹脂混合調(diào)勻后,采用點(diǎn)膠機(jī)在反射杯中滴入適量混合膠體,通過熱固化形成熒光粉層。還未見批量生產(chǎn)的平面涂層產(chǎn)品,目前該工藝還處于研發(fā)階段。

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