場致發(fā)射顯示（FED）是將真空微電子管應(yīng)用于顯示的技術(shù)。它具有視角寬、功耗低、響應(yīng)速度快、光效率和分辨率高。用類金剛石材料作冷陰極和稀土離子摻雜的氧化物作發(fā)光材料，推動了FED的發(fā)展。
等離子體顯示（PDP）的出現(xiàn)比場致發(fā)射顯示（FED）遲一點，由于PDP電極發(fā)射面積比FED容易做大，所以也容易做成大屏幕的顯示器，它的不足之處為驅(qū)動電壓高，功耗大。FED和PDP的發(fā)光材料、電極材料以及電介質(zhì)材料（低熔點玻璃等）等仍需不斷改進和提高，從而提高發(fā)光效率和發(fā)光亮度，降低功耗，實現(xiàn)全色化和多級灰度顯示等。
發(fā)光二極管（LED）顯示技術(shù)出現(xiàn)較早，但由于價格高，制成大面積列陣比較困難，主要應(yīng)用于大型顯示板。近年來，電致發(fā)光的有機材料（OLED）有了新的進展，它容易制成列陣，所以比較引人注目。主要有兩類：金屬有機分子，（如Alq和雙胺）可用蒸鍍法制成異質(zhì)結(jié)構(gòu)；另一類為共軛聚合物聚對苯乙炔（PPV）用溶液旋鍍法制成的。OLED是21世紀很有前途的顯示器,但仍需要在發(fā)光亮度和量子效率、穩(wěn)定性和耐用性等方面不斷提高和改進。
各類光電顯示器有不同的用途。平板顯示器的布局可能是這樣的：LCD主要用于小屏幕，袖珍攜帶式；平板CRT和FED用于中屏幕彩色顯示；PDP用于大屏幕，壁掛式顯示。
六、近年來我國光電子技術(shù)有較快的發(fā)展，研究開發(fā)力量也有所增強。在專業(yè)和國防應(yīng)用方面的光電子技術(shù)取得較大成績。但是在研究開發(fā)成果的轉(zhuǎn)向生產(chǎn)以及在光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)中自主開發(fā)方面與國外的差距很大。這必須要引起特別重視。
光電子技術(shù)的主要方面的突破產(chǎn)生于美國，在R&D方面走在世界的前列，而光電子產(chǎn)業(yè)的形成又往往在日本，這主要是日本注重生產(chǎn)技術(shù)和家用（Consumer）市場的開發(fā)。巨大的投資產(chǎn)生了巨大效益。日本曾在半導體激光器、激光打印機、液晶顯示器、光盤產(chǎn)業(yè)等方面在世界上處于壟斷地位。1995年，美國光電子工業(yè)發(fā)展協(xié)會（OIDA）在考察和對比了美國和日本的光電子技術(shù)發(fā)展情況后，認為美國首先要在光電顯示、光通信和光存儲產(chǎn)業(yè)中加強生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展；光通信產(chǎn)業(yè)要注意市場開發(fā)；光電顯示要加強制造業(yè)；光存儲要加強研究開發(fā)。制定除了5年、10年的發(fā)展規(guī)劃，要奮起直追。至今在光通信和光顯示產(chǎn)業(yè)等方面趕上和超過日本。
光電子技術(shù)發(fā)展迅猛，光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)屬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，除了看產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)模，（我國大陸只占國際市場的5%的份額，與大國的地位也不相稱），還要看競爭能力。從科技背景（政策、經(jīng)費和人力資源）、產(chǎn)業(yè)環(huán)境（世界市場占有率、企業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、行銷能力）和科技實力（專利件數(shù)、產(chǎn)品開發(fā)、關(guān)鍵零組件、量產(chǎn)能力）3個大方面，對光電子產(chǎn)品的主要生產(chǎn)地區(qū)的評估�？梢钥闯�，我國（大陸）的綜合競爭能力遠低于日本、美國甚至臺灣、韓國。特別在行銷能力、關(guān)鍵零組件生產(chǎn)、專利件數(shù)和市場占有率等方面。不能不注意到，我國（大陸）大部分的光電子企業(yè)還是作來料組裝，貼了別人的商標去出口。這在生產(chǎn)剛開始形成時是可以的，但不能長久這樣下去。關(guān)鍵在于立足自主開發(fā)和創(chuàng)新上。
資料：
[1]干福熹。光電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。中國科學院院刊，1996，（5）：366-367；周光 召主編，共同走向科學，新華出版社，1997：364-375
[2]干福熹。光子學的發(fā)展-對當代信息技術(shù)的影響。世界科技研究與發(fā)展；20[3]（1998）32-34
[3]干福熹。光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展和我國的戰(zhàn)略，科技導報，12（2001）6-8